重生08：我的黑科技工厂 第80章 暗流、脉冲与门的微光

等离子体清洗实验被安排在小型材料处理实验室进行。那台机器原本用于清洁硅片表面的有机沾污，功率不大，腔体也小，勉强能放进一片四英寸的碳化硅衬底。

林海对陆晨这个“野路子”想法最初持保留态度。“等离子体清洗对去除表面吸附物和弱氧化层有效，但碳化硅衬底在进入生长炉前，已经经过严格的高温氢刻蚀，表面应该是清洁的。而且，等离子体可能会引入新的表面损伤或电荷积累。”

“我们不做任何假设。”陆晨站在机器前，看着操作手册上的参数范围，“标准流程走完了，结果卡在瓶颈。我们需要探索‘非标准’的可能性。系统…我们的理论模拟提示，界面缺陷可能不只是来自缓冲层本身，衬底表面极微量的、氢刻蚀也无法完全去除的特定态杂质，或者表面能的不均匀，可能是诱因之一。等离子体，特别是特定气体配比的等离子体，可能改变最表面几个原子层的化学状态和能量分布。”

他将系统的提示，转化为基于材料表面科学的合理推测。

“那就试试看。”林海被说服了，技术人员的探索欲被点燃，“我们选氩氢混合气体，比例可以调，偏压和功率也作为变量。但怎么评估效果？直接上生长炉周期太长了。”

“用原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）。”陆晨早有思路，“清洗前后，测表面粗糙度和化学成分变化。更关键的是，我们可以尝试在清洗后的衬底上，先沉积一层极薄的、几个纳米厚的石墨烯缓冲层，然后用高分辨透射电镜（HRTEM）看初始成核界面的情况。如果等离子体处理真的改善了界面，应该在最初的成核阶段就能观察到差异。”

这是一个巧妙的设计，将漫长的晶体生长评估，前置到最初的界面形成时刻来观察，大幅缩短实验周期。

实验立即启动。他们准备了六片来自同一批次、经过标准氢刻蚀的碳化硅衬底，分为三组：一组作为对照，一组进行常规氩等离子体清洗，一组进行氩氢混合等离子体清洗，并细分为不同参数。

AFM和XPS的结果首先出来。常规氩等离子体处理后，表面粗糙度略有增加，显示了一定的物理溅射效应。而特定比例的氩氢混合等离子体处理后，表面氧含量检测值进一步降低，同时碳化硅表面的碳硅比出现了微妙的、趋向化学计量比的变化。

“氢自由基可能还原了表面极微量的氧化硅，并钝化了一些悬空键。”张明远在查看数据后分析，“这个表面状态，理论上可能更有利于石墨烯的平整外延。”

关键的HRTEM样品制备需要时间。但初步的表面分析结果，已经给了团队一丝微光——这条路，或许真的值得深挖。

协议转换网关的开发，成了软件工程师小陈的“高光时刻”。这个入职不到两年的年轻人，凭着对硬件通信的痴迷和一股不服输的劲头，泡在实验室里三天，几乎没怎么合眼。

林海给他配了两个助手，主要负责硬件搭建和测试。小陈则埋头钻研两份厚厚的通信协议文档，一行行代码在屏幕上流淌。

“核心难点是实时性和稳定性。”小陈眼睛里满是血丝，但精神亢奋，“两边协议的数据帧结构、校验方式、错误重传机制都不一样。我设计了一个双缓冲区和优先队列机制，保证关键控制指令的延迟不超过1毫秒，数据反馈的完整性要达到100%。”

第四天下午，第一版固件烧录进网关板卡，连接模拟测试平台。示波器上，代表数据流的波形稳定闪烁，错误计数器始终为零。小陈编写了一个简单的测试脚本，模拟炉体控制器的指令发送和模块的数据回传，循环运行了上万次，没有一次丢包或错序。

“基本通路通了！”小陈长舒一口气，“接下来要做极限测试，模拟各种干扰和异常情况，比如电源波动、信号线串扰、数据突发，看网关会不会死机或传递错误数据。”

“好！按最严苛的工业四级标准设计测试用例。”林海拍板，“网关不仅要能用，还要在恶劣环境下可靠地用。这是碳化硅产线的‘神经枢纽’，不能有半点含糊。”

小陈用力点头，转身又投入了下一轮更复杂的测试代码编写中。在这个以硬科技为核心的团队里，一次关键的技术突破，往往就能让一个年轻人迅速崭露头角，承担起更重的责任。

沈南星对“宸星科技”的调查，触碰到了一层更坚硬的壁垒，但也意外地折射出一道缝隙。

她动用了一个在海外咨询公司工作的同学关系，尝试从国际专利数据库和学术论文引用网络中寻找“宸星”的蛛丝马迹。反馈回来的信息耐人寻味：没有以“宸星科技”直接署名的任何公开专利或论文。但是，在过去三年里，国际上有三篇关于“超柔性金属网格/高分子复合电极”的顶尖期刊论文，其核心思路和部分关键性能数据，与国内那两家检测机构提到的匿名测试样品特征，存在“高度的概念相似性”。这三篇论文的作者来自美国、瑞士和日本的不同研究机构，彼此看似没有直接关联。

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